TS271BID
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
TS271BID中文资料参数规格
技术参数
供电电流 10 µA
电路数 1
转换速率 40.0 mV/μs
增益频宽积 100 kHz
输入补偿电压 250 µV
输入偏置电流 1 pA
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TS271BID引脚图与封装图 
TS271BID引脚图
TS271BID封装图
TS271BID封装焊盘图
在线购买TS271BID
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TS271BID | ST Microelectronics 意法半导体 | CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier | 搜索库存 |
替代型号TS271BID
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TS271BID 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 40mV/us | 当前型号 | CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier | 当前型号 |
| 型号： TS271BIDT 品牌： 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 40mV/us | 完全替代 | CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier | TS271BID和TS271BIDT的区别 |