TS271BIDT
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
TS271BIDT中文资料参数规格
技术参数
供电电流 10 µA
电路数 1
通道数 1
共模抑制比 60 dB
转换速率 40.0 mV/μs
增益频宽积 100 kHz
输入补偿电压 250 µV
输入偏置电流 1 pA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压Max 16 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TS271BIDT引脚图与封装图
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在线购买TS271BIDT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TS271BIDT | ST Microelectronics 意法半导体 | CMOS可编程低功耗单路运算放大器 CMOS Programmable Low Power Single Operational Amplifier | 搜索库存 |
替代型号TS271BIDT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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