IPA80R650CEXKSA2、SPA08N80C3XKSA1、IPA80R650CEXKSA1对比区别

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型号 IPA80R650CEXKSA2 SPA08N80C3XKSA1 IPA80R650CEXKSA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPA08N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 VTO-220 整包

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

额定功率 - - 33 W

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 33 W 40 W 33 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 8A 8.00 A 8A

上升时间 15 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds)

下降时间 10 ns 7 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 33W (Tc) 40 W 33W (Tc)

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.56 Ω 0.65 Ω -

阈值电压 3 V 3 V -

额定电压(DC) - 800 V -

额定电流 - 8.00 A -

长度 10.65 mm 10.65 mm 10.65 mm

宽度 4.85 mm 4.85 mm 4.85 mm

高度 16.15 mm 16.15 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -