IPA80R650CEXKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPA80R650CEXKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 33 W
极性 N-CH
耗散功率 33 W
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1100pF @100VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 33W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPA80R650CEXKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPA80R650CEXKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPA80R650CEXKSA1 | Infineon 英飞凌 | TO-220 整包 | 搜索库存 |
替代型号IPA80R650CEXKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPA80R650CEXKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220-3 N-CH 800V 8A | 当前型号 | TO-220 整包 | 当前型号 |
| 型号： IPA80R650CEXKSA2 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 N-Channel 800V 8A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V | IPA80R650CEXKSA1和IPA80R650CEXKSA2的区别 |