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SPA08N80C3XKSA1

SPA08N80C3XKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  SPA08N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA08N80C3XKSA1, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装


得捷:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 8 A, 0.65 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-FP / N-Channel 800 V 8A Tc 40W Tc Through Hole PG-TO220-3-31


SPA08N80C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 8.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.65 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 40 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Alternative Energy, Industrial, 电源管理, Power Management, 替代能源, 消费电子产品, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPA08N80C3XKSA1引脚图与封装图
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在线购买SPA08N80C3XKSA1
型号 制造商 描述 购买
SPA08N80C3XKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPA08N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPA08N80C3XKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPA08N80C3XKSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-Channel 800V 8A

当前型号

INFINEON  SPA08N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： IPA80R650CEXKSA2

品牌： 英飞凌

封装： TO-220-3 N-Channel 800V 8A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

SPA08N80C3XKSA1和IPA80R650CEXKSA2的区别

型号： STF10LN80K5

品牌： 意法半导体

封装： TO-220FP N-Channel 800V 8A

功能相似

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SPA08N80C3XKSA1和STF10LN80K5的区别

型号： IPA80R600P7XKSA1

品牌： 英飞凌

封装：

功能相似

晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.51 ohm, 10 V, 3 V

SPA08N80C3XKSA1和IPA80R600P7XKSA1的区别