BUK9277-55A,118、NTD18N06LT4G、RFD14N05L对比区别

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型号 BUK9277-55A,118 NTD18N06LT4G RFD14N05L

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RON SEMICONDUCTOR  NTD18N06LT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05L, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

漏源极电阻 0.059 Ω 0.054 Ω 0.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 51 W 55 W 48 W

阈值电压 1.5 V 1.8 V 2 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 50 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A -

上升时间 47 ns 79 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 643pF @25V(Vds) 675pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 51 W 55 W 48 W

下降时间 33 ns 38 ns 16 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 51W (Tc) 2.1 W 48 W

针脚数 - 3 3

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 18.0 A -

通道数 - 1 -

输入电容 - 482pF @25V -

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-251-3

长度 - 6.73 mm 6.8 mm

宽度 - 6.22 mm 2.5 mm

高度 - 2.38 mm 6.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -