
漏源极电阻 0.059 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 51 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 47 ns
输入电容Ciss 643pF @25VVds
额定功率Max 51 W
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 51W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BUK9277-55A,118 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BUK9277-55A,118 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-252-3 N-Channel 55V 18A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 | |
型号: IRFR024NTRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 55V 17A | 功能相似 | INFINEON IRFR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V | BUK9277-55A,118和IRFR024NTRPBF的区别 | |
型号: NTD18N06LT4G 品牌: 安森美 封装: TO-252 N-Channel 60V 18A 54mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTD18N06LT4G MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新 | BUK9277-55A,118和NTD18N06LT4G的区别 | |
型号: IRFR1205PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 55V 44A | 功能相似 | INFINEON IRFR1205PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 4 V | BUK9277-55A,118和IRFR1205PBF的区别 |