FDP047N08、FDP047N10、IRF2907ZPBF对比区别

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型号 FDP047N08 FDP047N10 IRF2907ZPBF

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 0.0037 Ω 0.0039 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 268 W 375 W 300 W

阈值电压 3.5 V 3.5 V -

漏源极电压(Vds) 75 V 100 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 164A 164A 75.0 A

输入电容(Ciss) 9415pF @25V(Vds) 15265pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 268 W 375 W 300 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 268W (Tc) 375000 mW -

上升时间 147 ns - 140 ns

下降时间 114 ns - -

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 75.0 A

产品系列 - - IRF2907Z

长度 10.67 mm 10.1 mm -

宽度 4.83 mm 4.7 mm -

高度 16.51 mm 9.4 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99