FDP047N08
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP047N08中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0037 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 268 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 164A
上升时间 147 ns
输入电容Ciss 9415pF @25VVds
额定功率Max 268 W
下降时间 114 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 268W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDP047N08引脚图与封装图
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在线购买FDP047N08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP047N08 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDP047N08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP047N08 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220AB N-Channel 75V 164A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDP047N10 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 100V 164A | 类似代替 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDP047N08和FDP047N10的区别 |
| 型号： STP140NF75 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 75V 120A 7.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V | FDP047N08和STP140NF75的区别 |
| 型号： STP160N75F3 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP160N75F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V | FDP047N08和STP160N75F3的区别 |