FDP047N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP047N10中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 164A
输入电容Ciss 15265pF @25VVds
额定功率Max 375 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDP047N10引脚图与封装图
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在线购买FDP047N10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP047N10 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDP047N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP047N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 100V 164A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDP047N08 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220AB N-Channel 75V 164A | 类似代替 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDP047N10和FDP047N08的区别 |
| 型号： IRFB4110PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 100V 180A | 功能相似 | INFINEON IRFB4110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V | FDP047N10和IRFB4110PBF的区别 |
| 型号： IPP041N12N3GXKSA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 120V 120A | 功能相似 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | FDP047N10和IPP041N12N3GXKSA1的区别 |