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MJ4502G、NTE180、MJ4502对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJ4502G NTE180 MJ4502

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJ4502G  单晶体管 双极, 通用, P沟道, 100 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 100 hFENTE ELECTRONICS  NTE180  晶体管, PNP, TO-3封装Trans GP BJT PNP 90V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

频率 2 MHz 2 MHz -

额定电压(DC) -100 V 90.0 V -

额定电流 30.0 A 30.0 A -

针脚数 2 2 -

极性 PNP, P-Channel PNP, P-Channel PNP

耗散功率 200 W 200 W 200 W

增益频宽积 2 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100V (min) -

热阻 0.875℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 30A 30A -

最小电流放大倍数(hFE) 25 - -

额定功率(Max) 200 W - -

直流电流增益(hFE) 100 25 25

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW -

长度 39.37 mm - -

宽度 26.67 mm - -

高度 8.51 mm - -

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

HTS代码 - 85412900951 -