MJ4502G中文资料参数规格
技术参数
频率 2 MHz
额定电压DC -100 V
额定电流 30.0 A
针脚数 2
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 200 W
增益频宽积 2 MHz
击穿电压集电极-发射极 100 V
热阻 0.875℃/W RθJC
集电极最大允许电流 30A
最小电流放大倍数hFE 25
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
外形尺寸
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 工业, 音频
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJ4502G引脚图与封装图 
MJ4502G引脚图
MJ4502G封装焊盘图
在线购买MJ4502G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJ4502G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJ4502G 单晶体管 双极, 通用, P沟道, 100 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号MJ4502G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJ4502G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 PNP -100V 30A 200000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJ4502G 单晶体管 双极, 通用, P沟道, 100 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 100 hFE | 当前型号 |
| 型号： NTE180 品牌： NTE Electronics 封装： TO-3 PNP 90V 30A 200000mW | 功能相似 | NTE ELECTRONICS NTE180 晶体管, PNP, TO-3封装 | MJ4502G和NTE180的区别 |
| 型号： MJ4502 品牌： NTE Electronics 封装： PNP | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 90V 30A 3Pin2+Tab TO-3 | MJ4502G和MJ4502的区别 |