MJD44H11-001、MJD44H11-1G、KSH44H11ITU对比区别

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型号 MJD44H11-001 MJD44H11-1G KSH44H11ITU

描述 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsNPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 8.00 A 8.00 A 8.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 20 W 20 W

增益频宽积 - 85 MHz 50 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 60 40 @4A, 1V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1750 mW 1750 mW

频率 - 85 MHz -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 60 -

长度 - 6.73 mm 6.6 mm

宽度 - 2.38 mm 2.3 mm

高度 - 6.35 mm 6.1 mm

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99