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MJD44H11-1G

MJD44H11-1G

数据手册.pdf

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN 80 V 8 A 85MHz 1.75 W 通孔 I-PAK


立创商城:
NPN 80V 8A


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TRANS NPN 80V 8A IPAK


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Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN


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单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE


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# ON SEMICONDUCTOR  MJD44H11-1G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE


Win Source:
TRANS NPN 80V 8A IPAK


DeviceMart:
TRANS POWER NPN 8A 80V STR IPAK


MJD44H11-1G中文资料参数规格
技术参数

频率 85 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 8.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 20 W

增益频宽积 85 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 60

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.35 mm

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD44H11-1G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MJD44H11-1G ON Semiconductor 安森美 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors 搜索库存
替代型号MJD44H11-1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD44H11-1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: IPAK-4 NPN 80V 8A 1750mW

当前型号

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

当前型号

型号: MJD44H11-001

品牌: 安森美

封装: IPAK NPN 80V 8A

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