FQB25N33TM_F085
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB25N33TM_F085中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 330 V
连续漏极电流Ids 25A
输入电容Ciss 2010pF @25VVds
额定功率Max 3.1 W
耗散功率Max 3.1W Ta, 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FQB25N33TM_F085引脚图与封装图
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在线购买FQB25N33TM_F085
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB25N33TM_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 330V 25A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQB25N33TM_F085
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB25N33TM_F085 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-CH 330V 25A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 330V 25A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FDB039N06 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-CH 60V 174A | 类似代替 | N沟道MOSFET的PowerTrench 60V ， 174A ， 3.9mW N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 174A, 3.9mW | FQB25N33TM_F085和FDB039N06的区别 |
| 型号： FQB7P20TM_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263AB P-Channel 200V 7.3A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB7P20TM_F085 晶体管, MOSFET, P沟道, -7.3 A, -200 V, 0.54 ohm, -10 V, -3 V | FQB25N33TM_F085和FQB7P20TM_F085的区别 |