TLV2422AIDG4、TLV2422ID、TLV2422QDRG4对比区别

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型号 TLV2422AIDG4 TLV2422ID TLV2422QDRG4

描述 运算放大器 - 运放 Rail-to-Rail Out Wide Vin MicroPwr高级LinCMOSE轨到轨输出，宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSOp Amp Dual GP R-R O/P ±5V/10V Automotive 8Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 - 100 µA 100 µA

电路数 - 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW 0.725 W 725 mW

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 52.0 kHz 52.0 kHz 52.0 kHz

转换速率 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs

增益频宽积 52.0 kHz 52 kHz 52 kHz

输入补偿电压 - 300 µV 300 µV

输入偏置电流 - 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

电源电压(Max) 10 V - 10 V

电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V

输出电流 - 1 mA -

增益带宽 - 52 kHz -

耗散功率(Max) - 725 mW -

共模抑制比(Min) - 70 dB -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead