IPD200N15N3G、IPD200N15N3GBTMA1对比区别

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型号 IPD200N15N3G IPD200N15N3GBTMA1

描述 150V,50A,N沟道功率MOSFETDPAK N-CH 150V 50A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 DPAK-252 TO-252-3

额定功率 - 150 W

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 150 W

漏源极电压(Vds) - 150 V

连续漏极电流(Ids) - 50A

上升时间 11 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 1820pF @75V(Vds) 1820pF @75V(Vds)

下降时间 6 ns 6 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 150W (Tc)

高度 - 2.3 mm

封装 DPAK-252 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC