IPD200N15N3G
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPD200N15N3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1820pF @75VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK-252
外形尺寸
封装 DPAK-252
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPD200N15N3G引脚图与封装图
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在线购买IPD200N15N3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD200N15N3G | Infineon 英飞凌 | 150V,50A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IPD200N15N3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD200N15N3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel | 当前型号 | 150V,50A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IPD200N15N3GBTMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-Channel 150V 50A | 功能相似 | DPAK N-CH 150V 50A | IPD200N15N3G和IPD200N15N3GBTMA1的区别 |