IPD200N15N3GBTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 150V 50A

N-Channel 150V 50A Tc 150W Tc Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin2+Tab TO-252

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO252-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IPD200N15N3GBTMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 150 W

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1820pF @75VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPD200N15N3GBTMA1引脚图与封装图

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在线购买IPD200N15N3GBTMA1

型号	制造商	描述	购买
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替代型号IPD200N15N3GBTMA1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IPD200N15N3GBTMA1 品牌： Infineon 英飞凌封装： TO-252-3 N-Channel 150V 50A	当前型号	DPAK N-CH 150V 50A	当前型号
型号： IPD200N15N3GATMA1 品牌：英飞凌封装： REEL N-Channel 150V 50A	完全替代	DPAK N-CH 150V 50A	IPD200N15N3GBTMA1和IPD200N15N3GATMA1的区别
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