STB5N52K3、STP5NK100Z、FQB5N50CTM对比区别

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型号 STB5N52K3 STP5NK100Z FQB5N50CTM

描述 525V,1.2Ω,4.4A,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB5N50CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 1.14 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 1.00 kV 500 V

额定电流 - 3.50 A 5.00 A

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 3.7 Ω 1.14 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 70 W 125 W 73 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 4 V

漏源极电压(Vds) 525 V 1 kV 500 V

漏源击穿电压 - 1.00 kV 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - 3.50 A 5.00 A

上升时间 11 ns 7.7 ns 46 ns

输入电容(Ciss) 545pF @100V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 625pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 125 W 73 W

下降时间 16 ns 19 ns 48 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 125W (Tc) 73 W

额定功率 - 125 W -

长度 - 10.4 mm 10.67 mm

宽度 - 4.6 mm 9.65 mm

高度 - 9.15 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99