FQB5N50CTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB5N50CTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 5.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 73 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 46 ns
输入电容Ciss 625pF @25VVds
额定功率Max 73 W
下降时间 48 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 73 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB5N50CTM引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQB5N50CTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB5N50CTM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB5N50CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 1.14 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FQB5N50CTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB5N50CTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263AB N-Channel 500V 5A 1.4ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB5N50CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 1.14 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQB5N50CTM和STP55NF06的区别 |
| 型号： STW20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQB5N50CTM和STW20NK50Z的区别 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQB5N50CTM和STD18N55M5的区别 |