STB5N52K3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 70 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 525 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 545pF @100VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STB5N52K3引脚图与封装图
暂无图片
替代型号STB5N52K3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB5N52K3 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-263-3 | 当前型号 | 525V,1.2Ω,4.4A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STB5N52K3和STP55NF06的区别 |
| 型号： STW20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STB5N52K3和STW20NK50Z的区别 |
| 型号： STP5NK100Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 1kV 3.5A 3.7Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V | STB5N52K3和STP5NK100Z的区别 |