FDS8690、SI4162DY-T1-GE3、IRF8736PBF对比区别

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型号 FDS8690 SI4162DY-T1-GE3 IRF8736PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8690  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 VVISHAY  SI4162DY-T1-GE3..  晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 VINFINEON  IRF8736PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0063 Ω 0.0065 Ω 0.0048 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 5 W 2.5 W

阈值电压 1.6 V 1 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A - 18A

输入电容(Ciss) 1680pF @15V(Vds) - 2315pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 2.5W (Ta)

上升时间 - 15 ns 15 ns

下降时间 - 10 ns 7.5 ns

额定功率 - - 2.5 W

通道数 - - 1

正向电压(Max) - - 1 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -