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FDS8690
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDS8690中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0063 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

输入电容Ciss 1680pF @15VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS8690引脚图与封装图
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在线购买FDS8690
型号 制造商 描述 购买
FDS8690 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8690  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 V 搜索库存
替代型号FDS8690
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS8690

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SO N-Channel 30V 14A 6.3mohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8690  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 V

当前型号

型号: BSO040N03MSG

品牌: 英飞凌

封装:

类似代替

的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

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型号: IRF8736PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 18A

功能相似

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型号: SI4162DY-T1-GE3

品牌: 威世

封装: SOIC N-Channel

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VISHAY  SI4162DY-T1-GE3..  晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V

FDS8690和SI4162DY-T1-GE3的区别