针脚数 8
漏源极电阻 0.0063 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
输入电容Ciss 1680pF @15VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDS8690 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8690 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FDS8690 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SO N-Channel 30V 14A 6.3mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8690 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 V | 当前型号 | |
型号: BSO040N03MSG 品牌: 英飞凌 封装: | 类似代替 | 的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET | FDS8690和BSO040N03MSG的区别 | |
型号: IRF8736PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 18A | 功能相似 | INFINEON IRF8736PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 V | FDS8690和IRF8736PBF的区别 | |
型号: SI4162DY-T1-GE3 品牌: 威世 封装: SOIC N-Channel | 功能相似 | VISHAY SI4162DY-T1-GE3.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V | FDS8690和SI4162DY-T1-GE3的区别 |