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OP200GPZ、OPA2277P、NE5532NG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OP200GPZ OPA2277P NE5532NG

描述 ANALOG DEVICES  OP200GPZ  运算放大器, 双路, 500 kHz, 2个放大器, 0.15 V/µs, ± 3V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  OPA2277P  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.8 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, ± 5V 至 ± 15V, DIP, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR  NE5532NG  芯片, 运算放大器, 10MHZ, 9V/uS, DIP-8

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 PDIP-8 DIP-8

电源电压(DC) 15.0 V 36.0 V -

工作电压 3V ~ 18V - -

供电电流 570 µA 790 µA 8 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 66 mW - 1.2 W

共模抑制比 130 dB 130 dB 70 dB

带宽 500 kHz 1 MHz 10 MHz

转换速率 150 mV/μs 800 mV/μs 9.00 V/μs

增益频宽积 500 kHz 1 MHz 10 MHz

输入阻抗 125 GΩ - -

输入补偿电压 80 µV 10 µV 500 µV

输入偏置电流 100 pA 500 pA 200 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ 0 ℃

增益带宽 0.5 MHz 1 MHz -

共模抑制比(Min) 110 dB 130 dB 70 dB

电源电压(Max) 18 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

耗散功率(Max) - - 1200 mW

输入补偿漂移 - 100 nV/K -

长度 9.27 mm 9.81 mm -

宽度 6.35 mm 6.35 mm -

高度 3.3 mm 4.57 mm -

封装 DIP-8 PDIP-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2017/07/07 - -

ECCN代码 - - EAR99