FDD13AN06A0、STD60NF06T4、IRLR2905PBF对比区别

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型号 FDD13AN06A0 STD60NF06T4 IRLR2905PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD13AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0115 ohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR2905PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 42A, D-PAKS 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V - 55.0 V

额定电流 9.90 A - 41.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0115 Ω 0.014 Ω 27 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 115 W 110 W 110 W

产品系列 - - IRLR2905

阈值电压 4 V 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 55.0 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 60.0 A 42.0 A

上升时间 77.0 ns 108 ns 84.0 ns

输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 115 W 110 W 110 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

通道数 1 - -

输入电容 1.35 nF - -

栅电荷 22.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 115W (Tc) 110W (Tc) -

下降时间 - 20 ns -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.39 mm 2.4 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -