额定电压DC 60.0 V
额定电流 9.90 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0115 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 115 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.35 nF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 77.0 ns
输入电容Ciss 1350pF @25VVds
额定功率Max 115 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDD13AN06A0 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD13AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0115 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDD13AN06A0 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 60V 50A 11.5mohms 1.35nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD13AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0115 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: STD60NF06T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 60V 60A 14mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | FDD13AN06A0和STD60NF06T4的区别 | |
型号: IRLR2905PBF 品牌: 国际整流器 封装: TO-252 N-Channel 55V 42A | 功能相似 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRLR2905PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 42A, D-PAKS 新 | FDD13AN06A0和IRLR2905PBF的区别 | |
型号: IRLR2905TRPBF 品牌: 国际整流器 封装: TO-252 N-Channel 55V 36A | 功能相似 | N沟道,55V,42A,27mΩ@10V | FDD13AN06A0和IRLR2905TRPBF的区别 |