FDS9933、NDS9933、FDS9933A对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDS9933 NDS9933 FDS9933A

描述 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9933A  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.8 A, -20 V, 75 mohm, -4.5 V, -800 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -20.0 V

额定电流 -5.00 A -3.20 A -3.80 A

漏源极电阻 55.0 mΩ - 0.075 Ω

极性 P-Channel - P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 2.00 W - 2 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20.0 V 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 3.20 A 3.80 A

输入电容(Ciss) 825pF @10V(Vds) - 600pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW - 900 mW

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

输入电容 - - 600 pF

栅电荷 - - 7.00 nC

漏源击穿电压 - - 20.0 V

上升时间 - - 9 ns

下降时间 - - 28 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 900 mW

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99