FDS9933
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS9933中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -5.00 A
漏源极电阻 55.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输入电容Ciss 825pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS9933引脚图与封装图
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在线购买FDS9933
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS9933 | Fairchild 飞兆/仙童 | 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS9933
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS9933 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel 20V 5A 55mohms | 当前型号 | 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
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| 型号： NDS9933 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO 20V 3.2A | 类似代替 | 双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | FDS9933和NDS9933的区别 |
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