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FDS9933A
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDS9933A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -3.80 A

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.075 Ω

极性 P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 2 W

输入电容 600 pF

栅电荷 7.00 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 3.80 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 600pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS9933A引脚图与封装图
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在线购买FDS9933A
型号 制造商 描述 购买
FDS9933A Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9933A  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.8 A, -20 V, 75 mohm, -4.5 V, -800 mV 搜索库存
替代型号FDS9933A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS9933A

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOIC P-Channel -20V 3.8A 75mohms 600pF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9933A  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.8 A, -20 V, 75 mohm, -4.5 V, -800 mV

当前型号

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品牌: 飞兆/仙童

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