额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.80 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 600 pF
栅电荷 7.00 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 3.80 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 600pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 900 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS9933A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9933A 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.8 A, -20 V, 75 mohm, -4.5 V, -800 mV | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS9933A 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOIC P-Channel -20V 3.8A 75mohms 600pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9933A 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.8 A, -20 V, 75 mohm, -4.5 V, -800 mV | 当前型号 | |
型号: FDS9933 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC P-Channel 20V 5A 55mohms | 类似代替 | 双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | FDS9933A和FDS9933的区别 | |
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型号: SI4943BDY-T1-E3 品牌: 威世 封装: 8-SOIC Dual P-Channel 20V 8.4A 19mΩ | 功能相似 | 双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V D-S MOSFET | FDS9933A和SI4943BDY-T1-E3的区别 |