FDS8690、IRF8736PBF、SI4162DY-T1-GE3对比区别

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型号 FDS8690 IRF8736PBF SI4162DY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8690  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.6 VINFINEON  IRF8736PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 VVISHAY  SI4162DY-T1-GE3..  晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0063 Ω 0.0048 Ω 0.0065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 5 W

阈值电压 1.6 V 1.8 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 - 15 ns 15 ns

下降时间 - 7.5 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2500 mW

额定功率 - 2.5 W -

通道数 - 1 -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 18A -

正向电压(Max) - 1 V -

输入电容(Ciss) 1680pF @15V(Vds) 2315pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1 W 2.5 W -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99