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BC327-016G、BC32716BU、BC327BU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC327-016G BC32716BU BC327BU

描述 放大器晶体管 Amplifier TransistorsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32716BU  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 60 hFEPNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -45.0 V

额定电流 -800 mA -800 mA -800 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 625 mW 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW

针脚数 - 3 -

最大电流放大倍数(hFE) - 630 -

直流电流增益(hFE) - 60 -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 4.58 mm 4.58 mm

宽度 - 3.86 mm 3.86 mm

高度 - 4.58 mm 4.58 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99