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BC32716BU
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32716BU  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 60 hFE

The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor suitable for AF-driver stages, low-power output stages, switching and amplifier applications.

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Complement to BC337

得捷:
TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3


欧时:
### 小信号 PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP -45V -800mA HFE/250


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk


富昌:
BC327 系列 50 V CE 击穿 0.8 A PNP 外延硅 晶体管 TO-92-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32716BU  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 60 hFE


BC32716BU中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -800 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 630

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC32716BU引脚图与封装图
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在线购买BC32716BU
型号 制造商 描述 购买
BC32716BU Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32716BU  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 60 hFE 搜索库存
替代型号BC32716BU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC32716BU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP -45V -800mA 0.625W

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC32716BU  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 60 hFE

当前型号

型号: BC32716_J35Z

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP

完全替代

Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3Pin TO-92 Bulk

BC32716BU和BC32716_J35Z的区别

型号: BC327A_J35Z

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP

完全替代

Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 3Pin TO-92 Bulk

BC32716BU和BC327A_J35Z的区别