BC327-016G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -800 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC327-016G引脚图与封装图
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在线购买BC327-016G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC327-016G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 搜索库存 |
替代型号BC327-016G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC327-016G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -45V -800mA | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： BC32716BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -45V -800mA 0.625W | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC32716BU 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 60 hFE | BC327-016G和BC32716BU的区别 |
| 型号： BC327BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -45V -800mA 625mW | 类似代替 | PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | BC327-016G和BC327BU的区别 |