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KSP42BU、MPSW42RLRA、MPSA42对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP42BU MPSW42RLRA MPSA42

描述 ON Semiconductor KSP42BU , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:25, 3引脚 TO-92封装一瓦高压晶体管 One Watt High Voltage Transistor高压晶体管( NPN硅) High Voltage Transistors(NPN Silicon)

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 50 MHz - 50 MHz

额定电压(DC) - 300 V 300 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

针脚数 3 - 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 625 mW - 625 mW

集电极击穿电压 - - 300 V (min)

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V 40 @30mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW

直流电流增益(hFE) 40 - 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 1000 mW 625 mW

集电极最大允许电流 - 0.5A -

长度 4.58 mm - 5.2 mm

宽度 3.86 mm - 4.19 mm

高度 4.58 mm - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -