MPSW42RLRA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MPSW42RLRA引脚图与封装图
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在线购买MPSW42RLRA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSW42RLRA | ON Semiconductor 安森美 | 一瓦高压晶体管 One Watt High Voltage Transistor | 搜索库存 |
替代型号MPSW42RLRA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSW42RLRA 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 300V 500mA | 当前型号 | 一瓦高压晶体管 One Watt High Voltage Transistor | 当前型号 |
| 型号： MPSW42G 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 300V 500mA 1000mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MPSW42G 双极晶体管 | MPSW42RLRA和MPSW42G的区别 |
| 型号： MPSW42RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 300V 500mA 1W | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MPSW42RLRAG 双极性晶体管 | MPSW42RLRA和MPSW42RLRAG的区别 |
| 型号： KSP42BU 品牌： 安森美 封装： TO-226-3 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor KSP42BU , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=300 V, HFE:25, 3引脚 TO-92封装 | MPSW42RLRA和KSP42BU的区别 |