71024S20TYG、71024S20TYG8、IS61C1024AL-12JLI对比区别

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型号 71024S20TYG 71024S20TYG8 IS61C1024AL-12JLI

描述 SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 20ns 32Pin SOJ Tube静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAMRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 SOJ-32 SOJ-32 SOJ-32

电源电压(DC) - - 1.80 V, 5.50 V (max)

工作电压 - - 5 V

供电电流 - 140 mA 40 mA

位数 - - 8

存取时间 20 ns 20 ns 12 ns

内存容量 - - 125000 B

存取时间(Max) 20 ns 20 ns 12 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

长度 22.0 mm 21.95 mm 21.08 mm

宽度 7.60 mm 7.6 mm 7.75 mm

高度 - 2.67 mm 2.67 mm

封装 SOJ-32 SOJ-32 SOJ-32

厚度 2.67 mm 2.67 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99