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71024S20TYG8

71024S20TYG8

数据手册.pdf
Integrated Device Technology 艾迪悌 主动器件
71024S20TYG8中文资料参数规格
技术参数

供电电流 140 mA

存取时间 20 ns

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 32

封装 SOJ-32

外形尺寸

长度 21.95 mm

宽度 7.6 mm

高度 2.67 mm

封装 SOJ-32

厚度 2.67 mm

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

71024S20TYG8引脚图与封装图
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在线购买71024S20TYG8
型号 制造商 描述 购买
71024S20TYG8 Integrated Device Technology 艾迪悌 静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM 搜索库存
替代型号71024S20TYG8
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 71024S20TYG8

品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌

封装: SOJ 32Pin

当前型号

静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

当前型号

型号: 71024S20TYG

品牌: 艾迪悌

封装: SOJ 32Pin

完全替代

SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 20ns 32Pin SOJ Tube

71024S20TYG8和71024S20TYG的区别

型号: IS61C1024AL-12JLI

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: SOJ 125000B 1.8V 12ns 32Pin

功能相似

RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)

71024S20TYG8和IS61C1024AL-12JLI的区别

型号: IS61C1024AL-12JLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: SOJ 1000000B 5V 12ns

功能相似

静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 12ns 5v Async 静态随机存取存储器

71024S20TYG8和IS61C1024AL-12JLI-TR的区别