
供电电流 140 mA
存取时间 20 ns
存取时间Max 20 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 SOJ-32
长度 21.95 mm
宽度 7.6 mm
高度 2.67 mm
封装 SOJ-32
厚度 2.67 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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71024S20TYG8 | Integrated Device Technology 艾迪悌 | 静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 71024S20TYG8 品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌 封装: SOJ 32Pin | 当前型号 | 静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM | 当前型号 | |
型号: 71024S20TYG 品牌: 艾迪悌 封装: SOJ 32Pin | 完全替代 | SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 20ns 32Pin SOJ Tube | 71024S20TYG8和71024S20TYG的区别 | |
型号: IS61C1024AL-12JLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: SOJ 125000B 1.8V 12ns 32Pin | 功能相似 | RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器) | 71024S20TYG8和IS61C1024AL-12JLI的区别 | |
型号: IS61C1024AL-12JLI-TR 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: SOJ 1000000B 5V 12ns | 功能相似 | 静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 12ns 5v Async 静态随机存取存储器 | 71024S20TYG8和IS61C1024AL-12JLI-TR的区别 |