IPI60R520CPAKSA1、IPI65R600C6、SPI07N65C3HKSA1对比区别

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型号 IPI60R520CPAKSA1 IPI65R600C6 SPI07N65C3HKSA1

描述 TO-262 N-CH 600V 6.8AInfineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能TO-262 N-CH 650V 7.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 66W (Tc) - 83W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 6.8A 7.3A 7.3A

上升时间 12 ns 9 ns 3.5 ns

输入电容(Ciss) 630pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds) 790pF @25V(Vds)

下降时间 16 ns 13 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 66W (Tc) 63 W 83W (Tc)

额定功率(Max) - 63 W -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1

长度 - 10.36 mm -

宽度 - 4.52 mm -

高度 - 9.45 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free