极性 N-CH
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 7.3A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 440pF @100VVds
额定功率Max 63 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.36 mm
宽度 4.52 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPI65R600C6 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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