SPI07N65C3HKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-262 N-CH 650V 7.3A

通孔 N 通道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

SPI07N65C3HKSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 83W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 790pF @25VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

SPI07N65C3HKSA1引脚图与封装图

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替代型号SPI07N65C3HKSA1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： SPI07N65C3HKSA1 品牌： Infineon 英飞凌封装： TO-262 N-CH 650V 7.3A	当前型号	TO-262 N-CH 650V 7.3A	当前型号
型号： SPI07N65C3XKSA1 品牌：英飞凌封装： TO-262 N-CH 650V 7.3A	完全替代	TO-262 N-CH 650V 7.3A	SPI07N65C3HKSA1和SPI07N65C3XKSA1的区别
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