FDB8030L、IPB034N03LGATMA1、STB95N3LLH6对比区别

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型号 FDB8030L IPB034N03LGATMA1 STB95N3LLH6

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8030L  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 1.5 VINFINEON  IPB034N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 VN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

额定功率 - 94 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0031 Ω 0.0028 Ω 0.0037 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 187 W 94 W 70 W

阈值电压 1.5 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 80A

上升时间 185 ns 6.4 ns 91 ns

输入电容(Ciss) 10500pF @15V(Vds) 4000pF @15V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

下降时间 200 ns 5.4 ns 23.4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 187W (Tc) 94 W 70W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

输入电容 10.5 nF - -

栅电荷 120 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

额定功率(Max) 187 W - -

长度 10.97 mm 10.31 mm 10.75 mm

宽度 9.65 mm 9.45 mm 10.4 mm

高度 4.83 mm 4.57 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99