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2N3771G、JAN2N3584、2N3771对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3771G JAN2N3584 2N3771

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N3771G.  双极晶体管NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR高功率NPN硅晶体管 HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 2

封装 TO-204-2 TO-66 TO-3

频率 200 kHz - 0.2 MHz

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 30.0 A - 30.0 A

额定功率 - - 150 W

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 150 W 2.5 W 150 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 250 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @15A, 4V 25 @1A, 10V 15 @15A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 60 - 60

额定功率(Max) 150 W 2.5 W 150 W

直流电流增益(hFE) 5 - 60

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 2500 mW 150000 mW

针脚数 2 - -

热阻 1.17℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 30A 2A -

长度 39.37 mm - 39.5 mm

宽度 26.67 mm - 26.2 mm

高度 8.51 mm - 8.7 mm

封装 TO-204-2 TO-66 TO-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -