频率 200 kHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 30.0 A
针脚数 2
极性 NPN
耗散功率 150 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
热阻 1.17℃/W RθJC
集电极最大允许电流 30A
最小电流放大倍数hFE 15 @15A, 4V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 150 W
直流电流增益hFE 5
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N3771G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-3 NPN 40V 30A 150000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR 2N3771G. 双极晶体管 | 当前型号 | |
型号: 2N3442G 品牌: 安森美 封装: TO-3 NPN 140V 10A 117000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N3442G 单晶体管 双极, NPN, 140 V, 80 kHz, 117 W, 10 A, 7.5 hFE 新 | 2N3771G和2N3442G的区别 | |
型号: 2N5038G 品牌: 安森美 封装: TO-3 NPN 90V 20A 140000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N5038G. 双极晶体管 | 2N3771G和2N5038G的区别 | |
型号: 2N5302G 品牌: 安森美 封装: TO-3 NPN 60V 30A 200000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N5302G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 2 hFE | 2N3771G和2N5302G的区别 |