ZTX549、ZTX549STZ、MMBT5401LT3G对比区别

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型号 ZTX549 ZTX549STZ MMBT5401LT3G

描述 Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive 3Pin TO-92PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 E-Line-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -25.0 V -25.0 V -150 V

额定电流 -1.00 A -1.00 A -500 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1 W 1 W 225 mW

增益频宽积 100 MHz 100 MHz 300 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 150 V

集电极最大允许电流 1A 1A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @500mA, 2V 100 @500mA, 2V 60 @10mA, 5V

额定功率(Max) 1 W 1 W 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 300 mW

频率 100 MHz - 300 MHz

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 50

长度 4.95 mm 4.95 mm 2.9 mm

宽度 2.41 mm 3.94 mm 1.3 mm

高度 4.95 mm 4.95 mm 0.94 mm

封装 TO-92-3 E-Line-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99