额定电压DC -25.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 1 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 E-Line-3
长度 4.95 mm
宽度 3.94 mm
高度 4.95 mm
封装 E-Line-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ZTX549STZ 品牌: Diodes 美台 封装: TO-92 PNP 25V 1A 1000mW | 当前型号 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS | 当前型号 | |
型号: ZTX549 品牌: 美台 封装: TO-92 PNP 25V 1A 1000mW | 完全替代 | Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive 3Pin TO-92 | ZTX549STZ和ZTX549的区别 | |
型号: ZTX751STZ 品牌: 美台 封装: TO-92 PNP 60V 2A | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Super E-Line | ZTX549STZ和ZTX751STZ的区别 | |
型号: MPS751 品牌: 安森美 封装: TO-92 Dual P-Channel -60V -2A 625mW | 功能相似 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | ZTX549STZ和MPS751的区别 |