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ZTX549STZ
Diodes(美台) 分立器件

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 1A 100MHz 1W Through Hole E-Line TO-92 compatible


得捷:
TRANS PNP 30V 1A E-LINE


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive 3-Pin TO-92 Box


安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-92 Box


ZTX549STZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 1 W

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 E-Line-3

外形尺寸

长度 4.95 mm

宽度 3.94 mm

高度 4.95 mm

封装 E-Line-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ZTX549STZ引脚图与封装图
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ZTX549STZ Diodes 美台 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS 搜索库存
替代型号ZTX549STZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ZTX549STZ

品牌: Diodes 美台

封装: TO-92 PNP 25V 1A 1000mW

当前型号

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

当前型号

型号: ZTX549

品牌: 美台

封装: TO-92 PNP 25V 1A 1000mW

完全替代

Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive 3Pin TO-92

ZTX549STZ和ZTX549的区别

型号: ZTX751STZ

品牌: 美台

封装: TO-92 PNP 60V 2A

类似代替

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型号: MPS751

品牌: 安森美

封装: TO-92 Dual P-Channel -60V -2A 625mW

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