MUN5234DW1T1、MUN5234DW1T1G对比区别

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型号 MUN5234DW1T1 MUN5234DW1T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 TSSOP-6 SOT-363

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN

耗散功率 385 mW 385 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 385 mW

封装 TSSOP-6 SOT-363

高度 0.9 mm -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99