![MUN5234DW1T1](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_227/chanpintu/mun5234dw1t1-Fir0coZe-yoDP70Go0.png)
MUN5234DW1T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 385 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
高度 0.9 mm
封装 TSSOP-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN5234DW1T1引脚图与封装图
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在线购买MUN5234DW1T1
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MUN5234DW1T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |
替代型号MUN5234DW1T1
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MUN5234DW1T1 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 当前型号 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 当前型号 | |
型号: MUN5234DW1T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 完全替代 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | MUN5234DW1T1和MUN5234DW1T1G的区别 |