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SPW12N50C3、STW12NK90Z、SPP04N80C3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPW12N50C3 STW12NK90Z SPP04N80C3

描述 酷MOS功率晶体管 COOL MOS POWER TRANSISTORSTMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

额定电压(DC) 560 V 900 V 800 V

额定电流 11.6 A 11.0 A 4.00 A

额定功率 - 230 W 63 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.72 Ω 1.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 230 W 63 W

阈值电压 - 3.75 V 3 V

漏源极电压(Vds) 560 V 900 V 800 V

漏源击穿电压 - 900 V 800 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 9.50 A 11.0 A 4.00 A

上升时间 8 ns 20 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 125 W 230 W 63 W

下降时间 8 ns 55 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 230W (Tc) 63W (Tc)

通道数 1 - 1

长度 16.13 mm 15.75 mm 10 mm

宽度 5.21 mm 5.15 mm 4.4 mm

高度 21.1 mm 20.15 mm 15.65 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -