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KSH31TF、NJVMJD31T4G、MJD31T4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH31TF NJVMJD31T4G MJD31T4G

描述 Trans GP BJT NPN 40V 3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsNPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 40.0 V - 40.0 V

额定电流 3.00 A - 3.00 A

极性 NPN NPN NPN, PNP

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

耗散功率(Max) 1.56 W 1560 mW 1560 mW

频率 - 3 MHz 3 MHz

针脚数 - - 3

耗散功率 - 1.56 W 15 W

直流电流增益(hFE) - - 10

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99